MOS-Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht
- MOS-Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht
- MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija
statusas T sritis radioelektronika
atitikmenys: angl. self-aligned thick oxide MOS process
vok. MOS-Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f
rus. технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем, f
pranc. technologie des circuits intégrés MOS à grilles auto-alignées et à couche d'oxyde épaisse, f
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“.
Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas.
2000.
Look at other dictionaries:
technologie des circuits intégrés MOS à grilles auto-alignées et à couche d'oxyde épaisse — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus … Radioelektronikos terminų žodynas
self-aligned thick oxide MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus … Radioelektronikos terminų žodynas
MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus. технология МОП структур с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным… … Radioelektronikos terminų žodynas
технология МОП-структур с самосовмещёнными затворами и толстым оксидным слоем — MOP darinių su susitapatinančiomis užtūromis ir storu oksidu technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned thick oxide MOS process vok. MOS Technologie mittels selbstjustierten Gates und dicker Oxidschicht, f rus … Radioelektronikos terminų žodynas
